電工電子級(jí)矽微粉

在高技術領域(yù)得到(dào)廣(guǎng)泛的應(yīng)用

在電(diàn)工(gōng)領域(yù)，由于(yú)其(qí)優異的(de)耐熱性(xìng)和耐輻(fú)射性，經常用作(zuò)輻射環境下的(de)耐高溫漆(qī)包線(xiàn)漆。在電子射線(xiàn)輻射(shè)的環境下(xià)，被(bèi)輻射的(de)聚酞(tài)亞胺漆包線在(zài)1.xlo。rad時幾乎沒(méi)有劣化，擊穿(chuān)電壓沒(méi)有下降，而(ér)耐磨耗性反而略有(yǒu)升高。在射線輻射的場合，被輻(fú)射漆(qī)包線(xiàn)的耐(nài)輻射(shè)順序爲:聚(jù)酰亞(yà)胺>聚(jù)酯亞(yà)胺> 聚(jù)酯> 聚(jù)酰胺(àn)亞胺。聚酰(xiān)亞胺(àn)薄膜(mó)的耐輻射性是塑(sù)料薄膜(mó)中(zhōng)最好的。經射(shè)線輻射(shè)後(hòu)，當輻(fú)射劑量(liàng)達(dá)10。rad時，材(cái)料的拉伸(shēn)強度下降(jiàng)約25 9／5～3o 9／6，伸長率(lǜ)下降約45 ～ 5o 9／6，彈(dàn)性模(mó)量隻(zhī)損(sǔn)失5 9／6，體積(jī)電阻率、介(jiè)電常數和(hé)損耗因數(shù)幾乎(hū)沒有(yǒu)改變(biàn)。在(zài)低溫下，聚酰(xiān)亞胺材料具有良好的機械和(hé)電性能，薄(báo)膜(o．05lmm)在一96℃ 的伸長率保(bǎo)持率(lǜ)(與室(shì)溫比(bǐ)較)約爲35 ～ 4o ，拉伸強(qiáng)度和彈性(xìng)模量提高(gāo)約(yuē)1．3倍。在液(yè)氮溫(wēn)度(dù)下，材料的體(tǐ)積電阻率(lǜ)比室溫時高，約爲2×1015歐(ōu)姆(mǔ)。介電常(cháng)數在室溫(wēn)至4k的(de)整個(gè)溫度範圍(wéi)内變化很(hěn)小， 約(yuē)在3.0～3.2之間(jiān)。薄(báo)膜材(cái)料(o.o03mm)的(de)擊穿電壓(yā)随低溫下降的(de)變化(huà)很小(xiǎo)。與室(shì)溫下相比，液氮(dàn)溫度下電氣強(qiáng)度下降(jiàng)約lo%,薄膜材料(liào)(100)在室溫下(xià)空氣(qì)中的交流(liú)電氣強(qiáng)度約爲(wèi)3×102mv／m，液氦溫(wēn)度下爲2×102mv／m。

在半導體(tǐ)及微(wēi)電子工(gōng)業(yè)上的(de)應用(yòng)(聚酰亞胺薄膜)

(2)粒子遮擋(dǎng)膜:随(suí)着集(jí)成電(diàn)路密度和(hé)芯片(piàn)尺寸的(de)不斷增(zēng)大，其(qí)抗輻射的(de)性能也更顯重(zhòng)要。高純度的聚(jù)酰亞胺塗(tú)層膜(mó)是一(yī)種(zhǒng)有效的耐輻射(shè)和(hé)抗粒子的遮(zhē)擋(dǎng)材料(liào)。在元(yuán)器件(jiàn)外殼的鈍(dùn)化膜上塗覆50一100單位(wèi)的射(shè)線遮(zhē)擋層(céng)可防(fáng)止由微(wēi)量(liàng)鈾和(hé)牡等(děng)釋放的(de)射(shè)線而(ér)造(zào)成(chéng)的存(cún)儲器錯(cuò)誤。當然(rán)，聚酰亞胺塗覆(fù)樹脂中含鈾物(wù)質的含量(liàng)也要(yào)很低，用于(yú)256kdram的樹脂要求(qiú)鈾的含量低于0.1pph。另外，聚酰亞胺優良的機械(xiè)性(xìng)可防(fáng)止(zhǐ)芯片(piàn)在後(hòu)續的(de)封裝過程中破(pò)裂。

(3)微電子器件(jiàn)的鈍(dùn)化層和緩(huǎn)沖内(nèi)塗層(céng):聚酰亞胺薄膜(mó)作爲(wèi)鈍化層(céng)和緩沖(chòng)保護層(céng)在微電(diàn)子工業(yè)上應用非常(cháng)廣泛。pi塗層(céng)可有效(xiào)地(dì)阻滞電子(zǐ)遷移、防止(zhǐ)腐蝕(shí)。pi層(céng)保(bǎo)護的(de)元器(qì)件具(jù)有很(hěn)低的漏(lòu)電(diàn)流(liú)，可(kě)增加(jiā)器件(jiàn)的機(jī)械性能(néng)，防止化(huà)學腐(fǔ)蝕，也可有效(xiào)地(dì)增加元器件的(de)抗潮濕能力。pi薄膜具有緩(huǎn)沖功(gōng)能，可有效(xiào)地降(jiàng)低(dī)由于熱應力引起的電(diàn)路崩(bēng)裂斷路，減(jiǎn)少元器件(jiàn)在後(hòu)續的加(jiā)工(gōng)、封裝和後處理(lǐ)過程(chéng)中的損(sǔn)傷(shāng)。雖然(rán)聚酰亞(yà)胺塗層可有(yǒu)效避免塑(sù)封器(qì)件(jiàn)的崩裂(liè)，但效果與使用的聚(jù)酰亞胺薄(báo)膜的性(xìng)能(néng)密切(qiē)相關(guān)。一般地，具有良好(hǎo)粘(zhān)接性能，玻(bō)璃(lí)化(huà)轉變(biàn)溫(wēn)度高于(yú)焊接溫度，低吸水率(lǜ)的聚酰亞(yà)胺是(shì)理想(xiǎng)的防止器(qì)件崩(bēng)裂的(de)内塗(tú)材料。

(4)多層(céng)金屬(shǔ)互聯電路(lù)的層(céng)間介(jiè)電材(cái)料:聚酰亞(yà)胺(àn)薄膜可作爲(wèi)多層布線(xiàn)技術中多層金(jīn)屬互(hù)聯結(jié)構(gòu)的層間介電(diàn)材料(liào)。多層(céng)布線技術(shù)是研(yán)制生(shēng)産具(jù)有三維(wéi)立體交(jiāo)叉結(jié)構超(chāo)大規模高(gāo)密(mì)度高速(sù)度集(jí)成電路的(de)關鍵(jiàn)技術。在芯(xīn)片上采用(yòng)多層(céng)金屬互聯(lián)可(kě)以(yǐ)顯著縮(suō)小(xiǎo)器件(jiàn)間的連線(xiàn)密度(dù)，減少(shǎo)rc時間(jiān)常數和芯(xīn)片占用面(miàn)積，大幅度(dù)提高(gāo)集成電路的速(sù)度、集成(chéng)度(dù)和可靠性(xìng)。多(duō)層金屬(shǔ)互(hù)聯工藝與目(mù)前常(cháng)用的(de)鋁基(jī)金屬(shǔ)互聯和氧(yǎng)化物介(jiè)質(zhì)絕緣(yuán)工藝不(bú)同(tóng)，它主(zhǔ)要采用高性能(néng)聚酰(xiān)亞胺薄膜(mó)材料(liào)爲介電絕(jué)緣層，銅或(huò)鋁爲(wèi)互聯(lián)導線，利用(yòng)銅的化(huà)學機械(xiè)抛光(guāng)。該(gāi)技(jì)術的(de)主要優點(diǎn)在于(yú)利用(yòng)了銅的高(gāo)電導(dǎo)和抗電遷移(yí)性(xìng)能、聚酰亞(yà)胺材料的(de)低介電常(cháng)數、平坦化(huà)性能以及良好的可(kě)制圖性能(néng)。